【聯合新聞網／記者楊又肇／報導】
先期預告進行量產20nm製程DDR4記憶體模組後，三星宣布著手研發業界首款20nm製程設計的8Gb LPDDR4行動記憶體模組 (Mobile DRAM)，預計將可提供高階智慧型手機、平板機種使用4GB記憶體容量，並且提供比現有LPDDR3記憶模組高出50%效能，以及減少40%電耗表現。
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三星宣布將著手研發業界首款20nm製程設計的8Gb LPDDR4行動記憶體模組，將比現有LPDDR3記憶模組高出50%效能，以及減少40%電耗表現，約以1.1V電壓即可驅動使用。新款LPDDR4記憶估計將可對應4GB記憶體容量，配合64位元處理器定址能力，將能讓高階智慧型手機、平板裝置使用更多記憶體空間。
目前三星預計將在2014年公佈自行設計的64位元處理器，配合新款LPDDR4行動記憶體模組，除可用於自家新款旗艦機Galaxy S 5，估計也將提供包含蘋果、LG等一線廠商新款裝置使用。
而配合明年準備成為高階行動裝置主流使用的64位元處理器，估計將會有更多裝置跨入3GB以上記憶體容量設計規格。
※相關連結》
‧Samsung Develops Industry’s First 8Gb LPDDR4 Mobile DRAM (三星官方新聞稿)
via UDN數位資訊
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